Voir l'ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors http://public.itrs.net/) sortie de l'édition en décembre.

Pour chaque fourmi existant dans le monde il y a 100 transistors (présentation de Gordon Moore à l'ISSC 2003)
Entre 1965 et 1995 il y a un rythme de 3 ans pour lancer les nouvelles générations (taille X 0,7 et intégration X4) contre 2 ans maintenant (alors qu'une usine coute 3 milliards $ à fabriquer et génère un CA annuel de 2,4 milliards $ pour un fondeur ou 6 milliards $ en produits pour un industriel) 01 n°1718 4/4/2003
  • 90 nm (2003) le dielectrique des portes ne fait que 4 atomes (plus petit que le virus du Sida qui a 100 nm et 1000 fois plus petit que l'épaisseur d'un cheveu à 100 microns)
  • 65 nm (2005) le dielectrique en dioxyde de silicium doit être remplacé par quelque chose d'autre comme le High K gate Dielectric (prévision Intel, pour l'ITRS 2003 le 65 nm est prévu pour 2007)
  • 45 nm (2007) selon Intel : 20 nm un milliard de transistor pour un processeur à 1 THz - SVM 1/2002)
  • 30 nm (2009) selon AMD à 3 THz
  • 22 nm (2011) prévu par Intel, 5 ans plus tôt que l'ITRS (un prototype à 15nm a été réalisé par Intel en fin 2001)
  • 9 nm (2028 suivant la tendance 1965-95 oou 2024 selon l'ITRS) : 10 ans pour réduire d'un rapport dix au lieu de 15 ans pour la tendance 1965-95
Date prévue de la fin de la loi de Moore : 2021 suivant un article des annales de l'IEEE de nov 2003 (http://www.fing.org/index.php?num=4412,4)

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